NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

 ICPECVD沉积技术

NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10^-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。

NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：

1. 等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)
2. 等离子清洗：去除有机污染物
3. 等离子聚合：对材料表面产生聚合反应
4. 沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜
5. CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。

特点：

• 立式ICPECVD系统
• 不锈钢或铝制腔体
• 极限真空可达10-7Torr
• 全自动上下载片，带预真空锁
• ICP离子源
• 高达6”(150mm)直径的样品台
• RF射频偏压样品台
• 水冷样品台
• 可加热到的800 °C样品台
• 加热的气体管路
• 加热的液体传送单元
• 抗腐蚀的涡轮分子泵组
• z大可支持到8MFC
• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
• 菜单驱动，4级密码访问保护
• 完整的安全联锁