MidiSIMS-ToF-HR是一款高灵敏度、高质量范围、高分辨率的SIMS二次离子质谱仪（TOF-SIMS），可以用于绝缘、导电表面的成像分析与化学成分分析。MidiSIMS-ToF-HR是研究表面化学的分析利器，适用于研发和工业质量控制应用。

MidiSIMS-ToF-HR是一款高灵敏度、高质量范围、高分辨率的SIMS二次离子质谱仪（TOF-SIMS），可以用于绝缘、导电表面的成像分析与化学成分分析。SurfaceSeer I是研究表面化学的分析利器，适用于研发和工业质量控制应用。

SIMS二次离子质谱仪主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析。

静态SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，能在只消耗样品单层一小部分的情况下，获得详细的质谱图。被分析的分子来自固体表面前几层，这对于探讨材料关键区域例如附着力或催化等性质至关重要。

赛恩公司（SAI）创新设计的MidiSIMS-ToF，该台式设备对实验室空间和配套设施要求极低，却可全面支持静态二次离子质谱（Static SIMS）、成像二次离子质谱（Imaging SIMS）以及动态（深度剖面）二次离子质谱（Dynamic SIMS）三种工作模式。结合其高通量分析能力，相较于传统的超高真空SIMS设备，单个样品的检测成本最*高可降低90%。凭借较低的单样品分析成本，该系统非常适用于对少量元素及有机表面成分进行常规检测，是工业质量控制应用的理想解决方案。

SAI MidiSIMS 配备稳定且具有防振功能的真空 腔体，并设有双侧对置的 114 mm 外径离子枪端 口，可兼容多种高分辨率初级离子源（LMIS、 C60、GCIB、DUOplasmatron），适用于广泛 的分析应用。正交反射式飞行时间质谱分析器支持 离子源在连续束模式下运行，显著提升成像性能； 结合高占空比工作模式，可实现高速数据采集。此 外，系统采用高压集成设计，大幅缩短样品抽真空 时间，显著提高。

MidiSIMS-ToF-HR仪器特点：

• 配备25KV液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源，检测能力更强，质量分辨率更高；
  

• 具备表面成像和深度剖析功能；

• 提供的SIMS材料谱库包含上千种材料的质谱数据，可识别未知的化合物和材料；

• 可同时分析所有元素及有机物，可消除有机物和元素干扰，使谱图更清晰，检测限更低，能更有效地分析材料样品；

• 专用数据处理软件允许分析数据和样品的化学构成信息进行全面的交互提取，其所有储存的数据都能用于溯源性分析；

• 正交反射型ToF质谱仪

• 高占空比运行模式

• 可选配能量过滤器、二次电子探测器（SED）及 电子束功能 

MidiSIMS-ToF-HR应用领域:

• 表面涂层和处理
  

• 电子元件和半导体
  

• 电极与传感器
  

• 摩擦学及润滑剂
  

• 催化剂
  

• 粘合剂
  

• 薄膜等包装材料
  

• 腐蚀研究

• 生物材料

• 污染物

• 存储设备
  

• 大学教学与科研